Caractéristiques et spécifications Vitesse de lecture : Jusqu'à 2 500 Mo/s en lecture séquentielle
Vitesse d'écriture : Jusqu'à 1 025 Mo/s en écriture séquentielle
Performances aléatoires (IOPS) : 55 000 IOPS en lecture 4 Ko, 225 000 IOPS en écriture 4 Ko
Endurance : 120 To écrits (TBW)
MTBF : 1,5 million d'heures
Consommation normale : 2,2 W au maximum, en écriture soutenue
Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
Température de stockage : -40 °C à 85 °C
Capacité de stockage : 512 Go
Interface : PCIe 3.0 NVMe
Type de stockage : SSD, mémoire flash 3D NAND
Format de disque : M.2 2280